---

Pin hydrua kim loại niken là gì?

Pin niken hiđrua kim loại bao gồm các điện cực, bộ phân tách và chất điện phân Điện cực âm sử dụng hợp kim lưu trữ hydro, điện cực dương sử dụng niken hydroxit, thiết bị phân tách sử dụng vải không dệt polypropylen và chất điện phân sử dụng dung dịch nước kiềm chứa chủ yếu KOH Không giống như pin chì và pin niken-cadmium, loại pin lưu trữ mới này thân thiện với môi trường và không chứa các chất độc hại Đây là loại pin lưu trữ thế hệ tiếp theo có ứng dụng dự kiến ​​​​sẽ còn mở rộng hơn nữa trong tương lai vì nó có khả năng sạc và xả tốc độ cao với dòng điện lớn và có tuổi thọ dài và gần đây đã được lắp đặt trên xe điện hybrid (HEV)

Giới thiệu về phản ứng nạp và xả

Phản ứng phóng điện

Trong quá trình phóng điện, nguyên tử hydro H di chuyển từ MH, vật liệu hoạt động của điện cực âm, đến NiOOH, vật liệu hoạt động của điện cực dương và vật liệu hoạt động của điện cực dương trở thành Ni(OH)₂

Phản ứng tích điện

Trong quá trình sạc, nguyên tử hydro H trở thành Ni(OH), là sản phẩm phóng điện của điện cực dương₂di chuyển đến M, là sản phẩm phóng điện ở điện cực âm và điện cực âm trở thành MH

Phản ứng của pin đơn giản hơn so với pin axit chì, sử dụng phản ứng hòa tan và kết tủa của kim loại nặng và về nguyên tắc có thể nói đây là dạng phản ứng bán cố định miễn là không có sự thay đổi ở các điện cực

Gigacell sẽ tồn tại được bao lâu?

Tuổi thọ pin thay đổi tùy thuộc vào tần suất sạc/xả, nhiệt độ pin, vv, vì vậy vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi

Hiệu ứng bộ nhớ là gì?

Hiệu ứng bộ nhớ là hiện tượng xảy ra khi pin chưa được xả hết và vẫn còn một lượng dung lượng nhất định, sau đó ngừng xả và khi pin được sạc nhiều lần rồi xả hoàn toàn, hiện tượng sụt điện áp xảy ra gần điểm dừng xả
Mặc dù chưa xác định được nguyên nhân nhưng người ta thường cho rằng pin niken-hydrua kim loại và pin niken-cadmium có hiệu ứng bộ nhớ này
Nếu điện áp giới hạn dưới của thiết bị chạy bằng pin được đặt ở giá trị cao do sụt áp do hiệu ứng bộ nhớ thì thời gian hoạt động có thể bị rút ngắn
Kết quả thử nghiệm của chúng tôi cho thấy điện áp sụt giảm do hiệu ứng bộ nhớ của Gigacell là rất nhỏ Hơn nữa, bằng cách phản ánh hiệu suất này và thiết kế một hệ thống (tính toán số lượng kết nối nối tiếp cần thiết) phù hợp với điện áp ổ đĩa tối thiểu của thiết bị, có thể ngăn chặn các sự cố do hiệu ứng bộ nhớ gây ra
Ngoài ra, Gigacell có thể xóa hiệu ứng bộ nhớ bằng cách thực hiện sạc làm mới (sạc hoàn toàn sau khi xả hoàn toàn) ở một tần số nhất định

Có vấn đề gì về an toàn không?

Bằng cách gắn thiết bị giám sát pin vào từng mô-đun và liên tục theo dõi trạng thái sạc pin (SOC) dựa trên điện áp pin và lượng dòng điện sạc/xả, bạn có thể ngăn chặn trước việc sạc quá mức và xả quá mức

“Gigacell” là nhãn hiệu đã đăng ký của tai fun88